رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF20N06L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF20N06L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 15.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12849397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF20N06L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 7.85A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
630 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FQPF20N06LFS
2832-FQPF20N06L
FQPF20N06L-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDPF55N06
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
102900
DiGi رقم الجزء
FDPF55N06-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFIZ34GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1401
DiGi رقم الجزء
IRFIZ34GPBF-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLIZ34GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2359
DiGi رقم الجزء
IRLIZ34GPBF-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP7N40
MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3
FDC653N
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
BSS110
MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
