رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF2N60C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF2N60C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12838602
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF2N60C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
235 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
23W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF2HNK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
953
DiGi رقم الجزء
STF2HNK60Z-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF3N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1978
DiGi رقم الجزء
STF3N62K3-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF2N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
729
DiGi رقم الجزء
STF2N62K3-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FDPF4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
FQB6N90TM_AM002
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
