FQPF4N25
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF4N25

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF4N25-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12836115
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF4N25 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.75Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF4

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RCX051N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RCX051N25-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

2N7000BU_T

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

onsemi

BFL4001-1EX

MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220-3 FP

onsemi

5LN01C-TB-EX

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

onsemi

FDP65N06

MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3