FQPF6N40C
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF6N40C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF6N40C-DG

وصف:

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12847015
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF6N40C المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
625 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF6

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
TK7A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
35
DiGi رقم الجزء
TK7A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP11NK40ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
325
DiGi رقم الجزء
STP11NK40ZFP-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMA910PZ

MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET

onsemi

CPH3462-TL-W

MOSFET N-CH 100V 1A 3CPH

onsemi

FDC3612

MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6

onsemi

FDMA520PZ

MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET