رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF6N80T
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF6N80T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12836753
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF6N80T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
51W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2832-FQPF6N80T
FQPF6N80TFS
FQPF6N80T-DG
2832-FQPF6N80T-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP5NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
943
DiGi رقم الجزء
STP5NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF4N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
766
DiGi رقم الجزء
STF4N80K5-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R8005ANX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
339
DiGi رقم الجزء
R8005ANX-DG
سعر الوحدة
1.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCB20N60-F085
MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
3LP01SS-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP
FQPF11N50CF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F