الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF7N80C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF7N80C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838931
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF7N80C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF7
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQPF7N80C Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FQPF7N80COS
2156-FQPF7N80C-OS
FQPF7N80C-DG
FAIFSCFQPF7N80C
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP8NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
162
DiGi رقم الجزء
STP8NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
943
DiGi رقم الجزء
STP5NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF8NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
444
DiGi رقم الجزء
STF8NK100Z-DG
سعر الوحدة
2.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF4N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF4N62K3-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP7NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
817
DiGi رقم الجزء
STP7NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
FQB9N50CTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK