رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF8N80C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF8N80C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12931742
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF8N80C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
59W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FQPF8N80C-OS
ONSONSFQPF8N80C
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP8NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
162
DiGi رقم الجزء
STP8NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP7NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
817
DiGi رقم الجزء
STP7NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF6N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
998
DiGi رقم الجزء
STF6N80K5-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPU60R1K4C6
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2499-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
3LN04MH-TL-E
NCH 1.5V DRIVE SERIES
