رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF9N15
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF9N15-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 6.9A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12846034
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF9N15 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 3.45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
44W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF9
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX100N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
429
DiGi رقم الجزء
RCX100N25-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCA20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FCPF11N60F
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AON7566
MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
