رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQT13N06TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQT13N06TF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
المخزون:
12849053
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQT13N06TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
310 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
FQT13N06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
FQT13N06TFFSTR
FQT13N06TFFSCT
FQT13N06TF-DG
FQT13N06TFFSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSP320SH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
813
DiGi رقم الجزء
BSP320SH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQD13N06LTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1546
DiGi رقم الجزء
FQD13N06LTM-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD30N06TM
MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
FQU8P10TU
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
AOB190A60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
