رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQT3P20TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQT3P20TF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
وصف تفصيلي:
P-Channel 200 V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
المخزون:
12839041
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQT3P20TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
670mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7Ohm @ 335mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
FQT3P20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
FQT3P20TFCT
FQT3P20TFTR
FQT3P20TF-DG
FQT3P20TFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS86581
MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
FDFS2P103
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
HUFA75337P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
