رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQU13N06TU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQU13N06TU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12839793
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQU13N06TU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
310 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU1
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,040
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU024PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
846
DiGi رقم الجزء
IRFU024PBF-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD12NF06L-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1913
DiGi رقم الجزء
STD12NF06L-1-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB3682
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
FDMC8884-F126
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK