رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQU4N50TU-WS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQU4N50TU-WS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12850328
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQU4N50TU-WS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU4N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
FQU4N50TU-WS-DG
FQU4N50TU_WS-DG
FQU4N50TU_WS
FQU4N50TU-WSOS
2156-FQU4N50TU-WS-OS
ONSONSFQU4N50TU-WS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD3NK50Z-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4279
DiGi رقم الجزء
STD3NK50Z-1-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD4N52K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STD4N52K3-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
FDS8449
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
