رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQU5N60CTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQU5N60CTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12840308
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQU5N60CTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
670 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU5N60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
ONSONSFQU5N60CTU
2156-FQU5N60CTU-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOU4N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
3973
DiGi رقم الجزء
AOU4N60-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU3N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
STU3N62K3-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU4N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
STU4N62K3-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS86103L
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
FDD850N10LD
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
NDUL03N150CG
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
