FQU7P06TU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQU7P06TU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQU7P06TU-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

12838795
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQU7P06TU المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
295 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU7

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,040

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQB70N10TM_AM002

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

onsemi

FCH023N65S3L4

MOSFET N-CH 650V 75A TO247

onsemi

FDMA008P20LZ

MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN

onsemi

FDMA7630

MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET