رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUF75339G3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUF75339G3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
12851464
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUF75339G3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
HUF75
معلومات إضافية
الباقة القياسية
300
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFP3306PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
IRFP3306PBF-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCP11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
HUF75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
FDMC86260
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
