الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUF75343S3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUF75343S3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848214
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUF75343S3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
205 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
270W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
HUF75
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
HUF75343S3
ورقة بيانات HTML
HUF75343S3-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
400
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOB470L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOB470L-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB85NF55LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STB85NF55LT4-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB141NF55
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB141NF55-DG
سعر الوحدة
1.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB80N06S209ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
912
DiGi رقم الجزء
IPB80N06S209ATMA2-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTA90N055T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA90N055T2-DG
سعر الوحدة
1.73
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO7405
MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6
FDS7096N3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
SFT1423-S-TL-E
MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
RFD16N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA