HUF75639S3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUF75639S3

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUF75639S3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

المخزون:

800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851335
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUF75639S3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
56A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
HUF75639

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
HUF75639G3, P3, S3, S3S

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2832-HUF75639S3-488
2832-HUF75639S3

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

HUF75631S3S

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

rohm-semi

R6509KNJTL

MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

onsemi

FCH070N60E

MOSFET N-CH 600V 52A TO247

onsemi

FDZ201N

MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA