HUF76407D3ST
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUF76407D3ST

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUF76407D3ST-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

3893 قطع جديدة أصلية في المخزون
13209926
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUF76407D3ST المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UltraFET
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
92mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
HUF76

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
488-HUF76407D3STDKR
488-HUF76407D3STCT
488-HUF76407D3STTR
2832-HUF76407D3ST-488

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTMFS4923NET1G

MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL

onsemi

NVTFS5811NLTAG

MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

onsemi

FCP165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

onsemi

NVB5404NT4G

MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK