رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUF76609D3S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUF76609D3S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12926872
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUF76609D3S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
425 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
49W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
HUF76
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLR120NTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2710
DiGi رقم الجزء
IRLR120NTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
BUK7275-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
68370
DiGi رقم الجزء
BUK7275-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR120ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
12134
DiGi رقم الجزء
IRFR120ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBF170LT1
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
SFT1345-H
MOSFET P-CH 100V 11A TP
JANTXV2N6802U
MOSFET N-CH 500V 2.5A 18ULCC