رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUFA75309D3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUFA75309D3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 55W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12837632
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUFA75309D3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
HUFA75
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQU17P06TU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9839
DiGi رقم الجزء
FQU17P06TU-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD12NF06L-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1913
DiGi رقم الجزء
STD12NF06L-1-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC15N06
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
2SK4065-DL-1EX
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2
FDS6572A
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
