رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF530A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF530A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
525 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838826
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF530A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF530
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP24NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
720
DiGi رقم الجزء
STP24NF10-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF530PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9188
DiGi رقم الجزء
IRF530PBF-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF530NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
53211
DiGi رقم الجزء
IRF530NPBF-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
FDMS86500L
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
FDC637AN
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
