رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFP150A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFP150A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 193W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12849378
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFP150A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
43A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2270 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
193W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IRFP150
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQA70N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
66
DiGi رقم الجزء
FQA70N10-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
2SK1317-E
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
5608
DiGi رقم الجزء
2SK1317-E-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTQ48N20T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTQ48N20T-DG
سعر الوحدة
2.75
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP096N03L G
MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
FQP13N06L
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
AOT66916L
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220