رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFP450B
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFP450B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3P
المخزون:
12851093
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFP450B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
390mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
205W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IRFP4
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW20NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
728
DiGi رقم الجزء
STW20NK50Z-DG
سعر الوحدة
2.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDA16N50-F109
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
270
DiGi رقم الجزء
FDA16N50-F109-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6009END3TL1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
IRLR110ATM
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
BS170ZL1G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3