رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLS640A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLS640A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12836826
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLS640A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 4.9A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1705 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IRLS640
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2832-IRLS640A
IRLS640AFS
IRLS640A-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX160N20
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
RCX160N20-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLI640GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRLI640GPBF-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF19NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
STF19NF20-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFI640GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1352
DiGi رقم الجزء
IRFI640GPBF-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ATP302-TL-H
MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
FDS6679Z
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
