رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLW630ATM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLW630ATM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
المخزون:
12835849
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLW630ATM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
755 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRLW63
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF624SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1814
DiGi رقم الجزء
IRF624SPBF-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RCJ120N20TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
33
DiGi رقم الجزء
RCJ120N20TL-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFU220PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2912
DiGi رقم الجزء
IRFU220PBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FDD4685-F085P
MOSFET P-CH 40V 32A TO252
