رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSB1151YS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSB1151YS-DG
وصف:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
1132 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836880
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSB1151YS المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 200mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 2A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1.3 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSB1151
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
KSB1151YSFS
KSB1151YS-DG
2832-KSB1151YS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC548_D81Z
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
BF423ZL1
TRANS PNP 250V 0.5A TO92
BC559
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3
