KSC1008RBU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

KSC1008RBU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

KSC1008RBU-DG

وصف:

TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Through Hole TO-92-3

المخزون:

12854719
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

KSC1008RBU المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
700 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 50mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
KSC1008

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
KSC1008YBU
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
390621
DiGi رقم الجزء
KSC1008YBU-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZTX451
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
916
DiGi رقم الجزء
ZTX451-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

KSD471ACGBU

TRANS NPN 30V 1A TO92-3

onsemi

KSB772OS

TRANS PNP 30V 3A TO126-3

onsemi

KSC1008YTA

TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3

onsemi

MMBT5550

TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3