رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSC2682YS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSC2682YS-DG
وصف:
TRANS NPN 180V 0.1A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 100 mA 200MHz 1.2 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
12850918
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSC2682YS المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
180 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1.2 W
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSC2682
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJE340
المُصنِّع
NTE Electronics, Inc
الكمية المتاحة
440
DiGi رقم الجزء
MJE340-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FJP3307DTU
TRANS NPN 400V 8A TO220-3
MJE170STU
TRANS PNP 40V 3A TO126-3
MJ15004G
TRANS PNP 140V 20A TO204
