رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSD1691YSTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSD1691YSTU-DG
وصف:
TRANS NPN 60V 5A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
909 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840014
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSD1691YSTU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 200mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 2A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1.3 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSD1691
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,920
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SB1219ASL
TRANS PNP 50V 0.5A SMINI3
FJP5027OTU
TRANS NPN 800V 3A TO220-3
MPS2222RLRM
TRANS NPN 30V 0.6A TO92