رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSD526O
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSD526O-DG
وصف:
TRANS NPN 80V 4A TO220-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 8MHz 30 W Through Hole TO-220-3
المخزون:
12850895
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSD526O المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 300mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
30µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
30 W
التردد - الانتقال
8MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
KSD526
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
200
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N6123 PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
449
DiGi رقم الجزء
2N6123 PBFREE-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
