رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSE802STU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSE802STU-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
12936074
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSE802STU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
750 @ 1.5A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
40 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSE80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,920
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SMBT3906SH6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MJB6488
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
2SD1804T-E
BIP NPN 8A 50V
