KSH112ITU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

KSH112ITU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

KSH112ITU-DG

وصف:

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK

المخزون:

12837922
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

KSH112ITU المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 40mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
20µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
25MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
رقم المنتج الأساسي
KSH11

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,040

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
MJD112-1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
153
DiGi رقم الجزء
MJD112-1G-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

BDX33CTU

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3

onsemi

BC640ZL1G

TRANS PNP 80V 0.5A TO92

onsemi

CPH3215-TL-H

TRANS NPN 30V 1.5A 3CP

onsemi

BC182_ND74Z

TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3