رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSH122ITU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSH122ITU-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 8A IPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 1.75 W Through Hole I-PAK
المخزون:
12854388
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSH122ITU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
8 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
4V @ 80mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 4A, 4V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
رقم المنتج الأساسي
KSH12
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,040
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJD122-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2794
DiGi رقم الجزء
MJD122-1-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBT6520LT3G
TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
MJF32CG
TRANS PNP 100V 3A TO220FP
MJD31CG
TRANS NPN 100V 3A DPAK
