رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJD122-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJD122-1G-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
المخزون:
12842531
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJD122-1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
8 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
4V @ 80mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 4A, 4V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
4MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
MJD122
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJD122G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1748
DiGi رقم الجزء
MJD122G-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SD12690P
TRANS NPN 80V 4A TO220F-A1
2SA20090SL
TRANS PNP 120V 0.02A SMINI3
2SD2137APA
TRANS NPN 80V 3A MT-4