رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJE350G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJE350G-DG
وصف:
TRANS PNP 300V 0.5A TO126
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
المخزون:
3226 قطع جديدة أصلية في المخزون
12853643
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJE350G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
300 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
-
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 50mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
20 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126
رقم المنتج الأساسي
MJE350
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-MJE350G-OS
ONSONSMJE350G
MJE350GOS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBTA56LT1G
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
MPS6602G
TRANS NPN 40V 1A TO92
KSC3502ESTU
TRANS NPN 200V 0.1A TO126-3
