رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJE803STU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJE803STU-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
12851537
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJE803STU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.8V @ 40mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
750 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
40 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
MJE803
معلومات إضافية
الباقة القياسية
60
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BD679
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5225
DiGi رقم الجزء
BD679-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BD679AS
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10094
DiGi رقم الجزء
BD679AS-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
BD679A
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1127
DiGi رقم الجزء
BD679A-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
