رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMBF170LT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMBF170LT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
22573 قطع جديدة أصلية في المخزون
12842007
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMBF170LT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
MMBF170
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSMMBF170LT1G
MMBF170LT1GOSDKR
MMBF170LT1GOS
MMBF170LT1GOSTR
MMBF170LT1GOSCT
2156-MMBF170LT1G-OS
MMBF170LT1GOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMS4404NR2
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
SI9424DY
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC