الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMBT100A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMBT100A-DG
وصف:
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12841479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMBT100A المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
45 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 20mA, 200mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
300 @ 10mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
350 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
MMBT10
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
MMBT100A
ورقة بيانات HTML
MMBT100A-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC847BE6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
22730
DiGi رقم الجزء
BC847BE6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXTN2040FTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
15257
DiGi رقم الجزء
ZXTN2040FTA-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BCW66HTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
15110
DiGi رقم الجزء
BCW66HTA-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMBT100
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
279594
DiGi رقم الجزء
MMBT100-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMBT2222A-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1973043
DiGi رقم الجزء
MMBT2222A-7-F-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA216200L
TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
2SB1463GRL
TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI3
2SB08730R
TRANS PNP 20V 5A TO92L-A1
MPSA06_D74Z
TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3