الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMBT2222A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMBT2222A-DG
وصف:
BJT SOT23 40V NPN 0.25W 150C
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12844531
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMBT2222A المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
40 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 150mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
350 mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
MMBT2222
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
MMBT2222A
ورقة بيانات HTML
MMBT2222A-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
MMBT2222AFSCT-NDR
MMBT2222AFSCT
MMBT2222AFSTR
MMBT2222AFSDKR
MMBT2222AFSTR-NDR
MMBT2222AFSDKR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MMBT489LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2997
DiGi رقم الجزء
MMBT489LT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXTN2040FTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
15257
DiGi رقم الجزء
ZXTN2040FTA-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SMBT3904E6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
252869
DiGi رقم الجزء
SMBT3904E6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMBT4401Q-13-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
MMBT4401Q-13-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC847C-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
8787
DiGi رقم الجزء
BC847C-7-F-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
P2N2222ARL1G
TRANS NPN 40V 0.6A TO92
MPSW92G
TRANS PNP 300V 0.5A TO92
TIP102G
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
TIP147TU
TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PN