الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMBT5962
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMBT5962-DG
وصف:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 350 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12852890
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMBT5962 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
45 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
2nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
600 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
350 mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
MMBT5962
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
2N5962, MMBT5962
مخططات البيانات
MMBT5962
ورقة بيانات HTML
MMBT5962-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
MMBT5962CT
MMBT5962TR
MMBT5962-DG
MMBT5962DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC847BE6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
22730
DiGi رقم الجزء
BC847BE6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC847BT116
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2176
DiGi رقم الجزء
BC847BT116-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC847A,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
29451
DiGi رقم الجزء
BC847A,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BCX70JE6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
88710
DiGi رقم الجزء
BCX70JE6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC848CE6433HTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BC848CE6433HTMA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
KSC2233
TRANS NPN 60V 4A TO220-3
KSC2335RTU
TRANS NPN 400V 7A TO220-3
MMBTA05LT3
TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
MPSA44G
TRANS NPN 400V 0.3A TO92