MMSF3P02HDR2

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MMSF3P02HDR2

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

MMSF3P02HDR2-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12847422

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

MMSF3P02HDR2 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5.6A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

75mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1400 pF @ 16 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

MMSF3P

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

MMSF3P02HDR2-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

MMSF3P02HDR2OSTR

MMSF3P02HDR2OSCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

RoHS non-compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDAF59N30

MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF

alpha-and-omega-semiconductor

AOT298L

MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220

onsemi

FDMS007N08LC

MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN

onsemi

FDS6694

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC