الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMUN2112LT1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMUN2112LT1-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12852194
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMUN2112LT1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
246 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
رقم المنتج الأساسي
MMUN2112
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-MMUN2112LT1-ONTR
ONSONSMMUN2112LT1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PDTA124XT,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
1672
DiGi رقم الجزء
PDTA124XT,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTA124TT,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2890
DiGi رقم الجزء
PDTA124TT,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
DTA124EKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2190
DiGi رقم الجزء
DTA124EKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA124TCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA124TCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTA124ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
12322
DiGi رقم الجزء
PDTA124ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MUN2235T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
MMUN2211LT3
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MUN5235T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
MMUN2235LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3