الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMUN2113LT3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMUN2113LT3-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12841533
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMUN2113LT3 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
47 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
246 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
رقم المنتج الأساسي
MMUN2113
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
2156-MMUN2113LT3-ONTR
ONSONSMMUN2113LT3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DDTA144TCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA144TCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA143ECA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4500
DiGi رقم الجزء
DDTA143ECA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA144WCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA144WCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BCR183E6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
111589
DiGi رقم الجزء
BCR183E6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTA144ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4146
DiGi رقم الجزء
PDTA144ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MUN2233T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
MMUN2232LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
SMUN5211T3G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
BCR 139T E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75