الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MPQ7091
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MPQ7091-DG
وصف:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 150V 500mA 70MHz 750mW Through Hole 14-PDIP
المخزون:
2781 قطع جديدة أصلية في المخزون
12933212
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MPQ7091 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
4 PNP (Quad)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
150V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 2mA, 20mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
250nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
35 @ 10mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
750mW
التردد - الانتقال
70MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
14-DIP (0.300", 7.62mm)
حزمة جهاز المورد
14-PDIP
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
417
اسماء اخرى
2156-MPQ7091
ONSONSMPQ7091
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PBSS5160PAPS115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
FC18G-TL
NCH J-FET+BIP NPN
MPQ7051
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
TPQ2907
TPQ QUAD TRANSISTOR ARRAYS