رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MPS6601G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MPS6601G-DG
وصف:
TRANS NPN 25V 1A TO92
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1 A 100MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
المخزون:
12849361
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MPS6601G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
25 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
600mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 500mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92 (TO-226)
رقم المنتج الأساسي
MPS660
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
MPS6601GOS
2156-MPS6601G-ON
ONSONSMPS6601G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC560ABU
TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
BUH50
TRANS NPN 500V 4A TO220
BFN 19 E6327
TRANS PNP 300V 0.2A SOT-89
