رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MPSA06
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MPSA06-DG
وصف:
BJT TO92 80V NPN 0.625W 150C
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
18610 قطع جديدة أصلية في المخزون
12853121
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MPSA06 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
MPSA06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
MPSA06-NDR
MPSA06OS-DG
MPSA06OS
MPSA06OSINACTIVE
2156-MPSA06-OS
FAIFSCMPSA06
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MPSW45AZL1
TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
MMBTA56WT1G
TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
KSC1815YTA
TRANS NPN 50V 0.15A TO92-3
