رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MTB2P50ET4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MTB2P50ET4G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 500 V 2A (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12854591
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MTB2P50ET4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1183 pF @ 25 V
ميزة FET
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
MTB2P
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA10P50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA10P50P-DG
سعر الوحدة
3.24
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK4150TZ-E
MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
UPA2739T1A-E2-AY
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON
N0601N-ZK-E1-AY
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
