MTB30P06VT4

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MTB30P06VT4

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

MTB30P06VT4-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

وصف تفصيلي:

P-Channel 60 V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12841030

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

MTB30P06VT4 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

30A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

80 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±15V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2190 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3W (Ta), 125W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

D2PAK

العبوة / العلبة

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

رقم المنتج الأساسي

MTB30

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

800

اسماء اخرى

MTB30P06VT4OS

2156-MTB30P06VT4

ONSONSMTB30P06VT4

2156-MTB30P06VT4-ONTR-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

RoHS non-compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQPF3N80CYDTU

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3

onsemi

NTB5412NT4G

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

onsemi

NVTFS5C466NLWFTAG

MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN

onsemi

NTB60N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK