MTB50P03HDLG
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MTB50P03HDLG

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

MTB50P03HDLG-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12840589
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

MTB50P03HDLG المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
MTB50

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
MTB50P03HDLG
ورقة بيانات HTML
MTB50P03HDLG-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
MTB50P03HDLG-DG
MTB50P03HDLGOS

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPA030N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP

onsemi

NTMFS4C302NT1G

MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN

onsemi

NVMFS6B03NWFT3G

MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN

onsemi

MTD6N15T4GV

MOSFET N-CH 150V 6A DPAK