رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MTP2P50EG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MTP2P50EG-DG
وصف:
MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 500 V 2A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12843766
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MTP2P50EG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1183 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
MTP2P
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
MTP2P50EGOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQP3P50
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQP3P50-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOI11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
AON6590
MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
NTF3055L175T3LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
